SK海力士与台积电建立AI芯片联盟 合作开发HBM4

激石Pepperstone(http://www.paraat.net/)报道：

“三足鼎立”的格局会演变为“一家独大”吗？

据媒体2月7日报道，SK海力士制定了“一个团队战略”，其中包括与台积电合作开发第六代HBM芯片（HBM4）。

据悉，台积电将负责部分HBM4的工艺制造——极有可能是封装工艺，以提升产品兼容性。

HBM（High Bandwidth Memory，高宽带内存）的优势是可以将专用数据处理器直接集成在DRAM中，将部分数据计算工作从主机处理器转移到存储器当中，从而满足AI芯片训练的高宽带要求，因而HBM也被认为是加速下一代AI技术发展的领先存储技术。

相较于前三代HBM，HBM4拟更新为更宽的2048位内存接口，以解决此前1024位内存接口“宽但慢”的问题，这就需要台积电的先进封装技术来验证HBM4的布局和速度。

有业内人士向媒体表示：

“封装的重要性在下一代人工智能半导体中正在扩大。”

“这两家被认为是市场巨头的公司之间的合作产生了很大的影响。”

目前，HBM市场呈现“三足鼎立”的局面：SK海力士、三星、美光是全球仅有的三家HBM供应商。行业数据显示，2022年HBM市场，SK海力士占据50%的市场份额，三星占比40%，美光占比10%。

2023年下半年开始，SK海力士、三星和美光这三家HBM供应商基本同步开启了HBM3E的测试，预计从2024年第一季度能实现批量供应。

华尔街见闻此前提及，SK海力士拟扩大其HBM的生产设施投资，以应对高性能AI产品需求的增加。公司计划，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比2023年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。

今年发布最新财报时，SK海力士表示，公司在筹备支持HBM3E方面稳步地取得进展，将推进大规模生产HBM3E，正处于开发下一代HBM4产品的正轨之上。

有观点认为，此次“AI联盟”是针对三星电子建立的统一战线。

此前有分析预测，三星于2023年底获英伟达验证通过后，将从2024年第一季开始扩大对英伟达的HBM3供应——在此之前，英伟达的HBM由SK海力士独家供应，但如今三星、美光都将加入。

另外，OpenAI首席执行官Sam Altman近日访问了三星电子并讨论AI半导体的开发和生产，或进一步彰显三星电子的优势正在凸显。

有半导体行业相关人士向媒体表示：

“台积电和SK海力士联手，是因为决心巩固在AI半导体市场对三星电子的胜利”

“三星电子的司法风险已经部分化解，但仍存在不确定性……面临巨大挑战。”