黄仁勋一句话，三星股价应声大涨5%
激石Pepperstone(http://www.paraat.net/)报道：
韩国电子巨头三星周三股价上涨5%，创六个月来最大涨幅，此前据媒体报道，英伟达正计划从三星购买HBM（高带宽内存）芯片，这是AI处理器的关键部件。
报道援引英伟达CEO黄仁勋表示，“英伟达正在对三星的HBM芯片进行认证测试，并将在未来开始使用它们。我非常重视我们与SK海力士和三星的合作关系。”
目前，三星正在努力追赶在AI内存芯片供应领域具有优势的SK海力士。三星高管周三表示，公司将在未来二到三年内重新夺回全球芯片市场领先地位。
此前华尔街见闻文章提到，摩根大通在最新发布的研报中，详细解析了关于三星在半导体领域的各项关键问题，包括三星高带宽存储器（HBM）业务的最新进展以及同业比较。
摩根大通在研报表示，截至2023年底，三星已完成与三大GPU客户的HBM3资格认证，并进入大规模生产阶段。HBM3E 12-Hi的样品测试正在进行中，预计2024年第二季度开始晶圆贴片，第三季度起将大规模增产。摩根大通估计，到2024年底，三星的HBM产能将从2023年底的60k提升至130k/月。
摩根大通在2024年2月的全球内存市场更新中预测，三星的HBM收入将在2024年至2025年达到56亿至95亿美元，较去年的19亿美元大幅增长。随着HBM芯片级密度的增加和更高高度混合比例，存在合理的上行风险。
不过，数据显示，三星电子相对于SK海力士的估值差距已扩大至36%的折扣，而Micron目前的交易价格约为未来12个月市净率的2.2倍，与三星电子的1.1倍市净率相比存在显著溢价。摩根大通认为，这种低估主要是由于市场对三星HBM进展的预期低迷所致。
摩根大通表示，HBM执行进展和DRAM利润率与同业之间的差距缩小，是三星电子股价表现超越同业的关键前提。随着预计三星的普通DRAM利润率到年底可能与HBM相当甚至更高，当市场叙事从“AI内存”转向“整体内存周期复苏”时，股票可能会更积极地反应。
