良率超中国台湾厂，台积电亚利桑那工厂进展比想象好

激石Pepperstone(http://www.paraat.net/)报道：

台积电美国工厂试产良率赶超台湾本厂。

周五，据彭博社援引知情人士消息，台积电美国分部总裁Rick Cassidy于周三透露，台积电亚利桑那工厂的试产良率已超出其中国台湾同级厂房约4个百分点。

良率指生产芯片中合格产品的比例，是半导体行业的关键衡量标准之一。一般来说，良率越高，生产率越高。

在上周的财报电话会上，台积电董事长魏哲家曾表示：

“我们（在美国）的第一座晶圆厂已于4月开始采用4nm制程技术进行工程晶圆生产，结果非常令人满意，良率非常高。”

根据规划，台积电将在美国亚利桑那州凤凰城建设三座晶圆厂，其中晶圆一厂（Fab21）是4nm制程晶圆厂，晶圆二厂则是3nm晶圆厂，三厂则预计在本世纪20年代底（2029-2030年）采用2nm或更先进的制程技术进行生产。

台积电原计划在2024年让其首座亚利桑那州工厂全面投产，但由于缺乏熟练工人，将这一目标推迟到了2025年，并将二厂的启动日期从2026年推迟至2027-2028年。这一举措曾引发对台积电美国工厂生产效率的担忧。

目前，魏哲家对美国工厂前景持乐观态度，他在上周的电话会上表示：

“我们现在预计第一家工厂将于2025年初开始量产，并有信心让亚利桑那州工厂实现与台湾厂相同水平的制造质量和可靠性。”