存储器大战：NAND闪存和DRAM
激石Pepperstone(http://www.paraat.net/)报道：
受人工智能和大数据驱动，数据存储的需求激增，对存储技术的先进性提出了更高要求。
在此背景下，存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。
NAND闪存
主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。
近期，《韩国经济日报》报道称，三星预计将于本月晚些时候量产第9代NAND闪存（V-NAND）。该公司在2022年已经实现了236层的第8代V-NAND闪存的规模化生产。即将推出的第9代V-NAND闪存仍将采用双层NAND闪存堆叠结构，层数将达到290层。业界预测，三星未来的第10代V-NAND预计将达到430层，届时将转向3层堆叠结构。
展望未来，三星和铠侠（Kioxia）均已公布其研发1000层NAND闪存的计划。三星的目标是在2030年之前研发1000层NAND闪存，铠侠则计划在2031年之前量产超过1000层的3D NAND闪存芯片。
DRAM
存储器巨头们正聚焦于先进制程节点和3D DRAM技术。
2024年3月，美光（Micron）在其财报中披露，目前大部分DRAM芯片都处于1α和1β的先进节点，下一代1γ DRAM将引入EUV光刻机，并已完成试产。
三星的DRAM芯片技术处于1b纳米级别，近期报告表明，该公司计划在今年内利用EUV技术开始大规模生产1c纳米DRAM。同时，三星也将在2025年迈入3D DRAM时代。该公司已经展示了两种3D DRAM技术：垂直通道晶体管和堆叠式DRAM。
SK海力士也在积极研发3D DRAM。去年，BusinessKorea报道称，SK海力士提出将IGZO作为新一代3D DRAM的沟道材料。根据业界消息来源，IGZO是一种由铟、镓、氧化锌组成的金属氧化物材料。其最大的优势在于待机功耗低，非常适合需要长寿命的DRAM晶体管。这一特性可以通过调整In（铟）、Ga（镓）和ZnO（氧化锌）的成分比例来很容易实现。
